ZVN4525E6TC
Číslo produktu výrobce:

ZVN4525E6TC

Product Overview

Výrobce:

Diodes Incorporated

Číslo dílu:

ZVN4525E6TC-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 230MA SOT23-6
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 230mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventář:

12906261
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ZVN4525E6TC Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.65 nC @ 10 V
VGS (Max)
±40V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
72 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
10,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
ZVN4525E6TA
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5030
DiGi ČÍSLO DÍLU
ZVN4525E6TA-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.29
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
SI3442BDV-T1-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
26929
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI3442BDV-T1-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

ZVP4525E6TC

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6

vishay-siliconix

IRLZ44STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR010TRR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

ZVP0545GTC

MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223