Číslo produktu výrobce:
ZXMN2B03E6TA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMN2B03E6TA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventář:
2518 Ks Nový Originál Skladem
12904987
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMN2B03E6TA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
40mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Základní číslo výrobku
ZXMN2
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
ZXMN2B03E6DKR
ZXMN2B03E6CT
ZXMN2B03E6TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SI3442BDV-T1-E3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
26929
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI3442BDV-T1-E3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.17
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
RUQ050N02TR
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2985
DiGi ČÍSLO DÍLU
RUQ050N02TR-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.31
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFBC40LCL
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
IRF740LCSTRR
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
ZVN3310ASTOB
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
