Číslo produktu výrobce:
ZXMN6A11DN8TA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMN6A11DN8TA-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventář:
4519 Ks Nový Originál Skladem
12905042
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMN6A11DN8TA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 40V
Výkon - Max
1.8W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balíček zařízení dodavatele
8-SO
Základní číslo výrobku
ZXMN6
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
ZXMN6A11DN8DKRINACTIVE
ZXMN6A11DN8DKR-DG
ZXMN6A11DN8CT-NDR
ZXMN6A11DN8TR-NDR
ZXMN6A11DN8TR
ZXMN6A11DN8CT
ZXMN6A11DN8DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
BSS138DW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO