Číslo produktu výrobce:
ZXMN6A25GTA
Product Overview
Výrobce:
Diodes Incorporated
Číslo dílu:
ZXMN6A25GTA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventář:
21837 Ks Nový Originál Skladem
12902828
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ZXMN6A25GTA Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Diodes Incorporated
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1063 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-3
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
ZXMN6
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
ZXMN6A25GTACT
ZXMN6A25GTATR
ZXMN6A25GTADKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
IXTP80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
ZXMP3A16N8TA
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
