EPC2001
Číslo produktu výrobce:

EPC2001

Product Overview

Výrobce:

EPC

Číslo dílu:

EPC2001-DG

Popis:

GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 25A (Ta) Surface Mount Die

Inventář:

12815082
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EPC2001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
EPC
Balení
-
Řada
eGaN®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
VGS (Max)
+6V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Die
Balení / pouzdro
Die
Základní číslo výrobku
EPC20

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
500
Další jména
917-1014-2
917-1014-1
-917-1014-1
-917-1014-2
917-1014-6

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
EPC2001C
VÝROBCE
EPC
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
122917
DiGi ČÍSLO DÍLU
EPC2001C-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.28
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
texas-instruments

CSD25485F5T

MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR

infineon-technologies

IRFH7885TRPBF

MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN

infineon-technologies

IRF3707ZCSTRR

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

epc

EPC2016

GANFET N-CH 100V 11A DIE