Číslo produktu výrobce:
EPC2016
Product Overview
Výrobce:
EPC
Číslo dílu:
EPC2016-DG
Popis:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Inventář:
12815126
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EPC2016 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
EPC
Balení
-
Řada
eGaN®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 3mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
VGS (Max)
+6V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Die
Balení / pouzdro
Die
Základní číslo výrobku
EPC20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
EPC2016C
VÝROBCE
EPC
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
177045
DiGi ČÍSLO DÍLU
EPC2016C-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.07
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
