Číslo produktu výrobce:
GSFU9006
Product Overview
Výrobce:
Good-Ark Semiconductor
Číslo dílu:
GSFU9006-DG
Popis:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 900V,7
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Inventář:
980 Ks Nový Originál Skladem
13229429
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
GSFU9006 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Good Ark Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Balení
Tube
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
32W (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
4786-GSFU9006
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
GSFH9506
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
SSFP4960
MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 4
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
