SSFU6511
Číslo produktu výrobce:

SSFU6511

Product Overview

Výrobce:

Good-Ark Semiconductor

Číslo dílu:

SSFU6511-DG

Popis:

MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 32.6W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventář:

1000 Ks Nový Originál Skladem
12999530
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

SSFU6511 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Good Ark Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
32.6W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
4786-SSFU6511

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
goford-semiconductor

G75P04T

MOSFET, P-CH,-40V,-70A,RD(MAX)<7

goford-semiconductor

G700P06LL

MOSFET, P-CH,-60V,-5A,RD(MAX)<75

vishay-siliconix

SIHFRC20TR-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SIHP12N50E-BE3

N-CHANNEL 500V