Číslo produktu výrobce:
BSC027N04LSGATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSC027N04LSGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventář:
63448 Ks Nový Originál Skladem
12842004
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSC027N04LSGATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 49µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-1
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSC027
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
BSC027N04LS GCT
BSC027N04LSGATMA1DKR
BSC027N04LS G-DG
BSC027N04LS GTR-DG
SP000354810
BSC027N04LSGATMA1TR
BSC027N04LS GCT-DG
BSC027N04LS GDKR
BSC027N04LS G
BSC027N04LS GDKR-DG
BSC027N04LS GTR
BSC027N04LSG
BSC027N04LSGATMA1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
NTMS4404NR2
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
