Číslo produktu výrobce:
BSF077N06NT3GXUMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSF077N06NT3GXUMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventář:
12798401
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSF077N06NT3GXUMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Ta), 56A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 33µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.2W (Ta), 38W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Balení / pouzdro
3-WDSON
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
BSF077N06NT3 GDKR
BSF077N06NT3 GTR-DG
BSF077N06NT3 GDKR-DG
SP000605968
BSF077N06NT3 GCT-DG
BSF077N06NT3 G-DG
BSF077N06NT3GXUMA1CT
BSF077N06NT3 G
BSF077N06NT3G
BSF077N06NT3GXUMA1DKR
BSF077N06NT3GXUMA1TR
BSF077N06NT3 GCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AUIRLS3036-7TRL
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
AUIRL7732S2TR
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
BSC065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
