Číslo produktu výrobce:
BSO080P03SHXUMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSO080P03SHXUMA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventář:
4973 Ks Nový Originál Skladem
12798547
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSO080P03SHXUMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 14.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5890 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.79W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-DSO-8
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
BSO080
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP000613798
BSO080P03S HCT
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1CT
BSO080P03S H-DG
BSO080P03SHXUMA1TR
BSO080P03S HDKR-DG
BSO080P03SHXUMA1DKR
BSO080P03S HCT-DG
BSO080P03S HTR-DG
BSO080P03S HDKR
BSO080P03S H
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
