Číslo produktu výrobce:
BSZ0501NSIATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
BSZ0501NSIATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventář:
10000 Ks Nový Originál Skladem
12799906
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
BSZ0501NSIATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25A (Ta), 40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TSDSON-8-FL
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
BSZ0501
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-BSZ0501NSIATMA1TR
SP001281638
448-BSZ0501NSIATMA1DKR
BSZ0501NSIATMA1-DG
448-BSZ0501NSIATMA1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSC0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
BTS110NKSA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
IPA60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
