Číslo produktu výrobce:
IAUTN12S5N017ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IAUTN12S5N017ATMA1-DG
Popis:
MOSFET_(120V 300V)
Podrobný popis:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventář:
3185 Ks Nový Originál Skladem
12991604
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IAUTN12S5N017ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
120 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
-
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
-
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
VGS (Max)
-
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-HSOF-8-1
Balení / pouzdro
8-PowerSFN
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
448-IAUTN12S5N017ATMA1DKR
448-IAUTN12S5N017ATMA1CT
SP005629891
448-IAUTN12S5N017ATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB95R310PFD7ATMA1
LOW POWER_NEW
ISZ810P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUTN06S5N008ATMA1
MOSFET_)40V 60V)