Číslo produktu výrobce:
IPA60R180P7SXKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA60R180P7SXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-312
Inventář:
1668 Ks Nový Originál Skladem
12802890
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA60R180P7SXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 280µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
26W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-312
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA60R
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP001606066
2156-IPA60R180P7SXKSA1
IPA60R180P7SXKSA1-DG
448-IPA60R180P7SXKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPI80N06S208AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK