Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPA60R450E6XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPA60R450E6XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventář:
Poptejte online
12804118
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPA60R450E6XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 280µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
30W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-FP
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
IPA60R
Technický list a dokumenty
Technické listy
IPA60R450E6XKSA1
HTML Datový list
IPA60R450E6XKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
2156-IPA60R450E6XKSA1
SP000842484
IPA60R450E6
INFINFIPA60R450E6XKSA1
IPA60R450E6-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STF13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1413
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.67
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
TK560A60Y,S4X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK560A60Y,S4X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.52
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF13NM60N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1174
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF13NM60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.77
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF10NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
378
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF10NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.87
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPA60R360P7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPA60R360P7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
IPN70R450P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
IRFS4610TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3