Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPB70N10S3L12ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
15020 Ks Nový Originál Skladem
12801392
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
Q
J
G
1
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPB70N10S3L12ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11.8mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 83µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5550 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IPB70N10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPx70N10S3L-12
Technické listy
IPB70N10S3L12ATMA1
HTML Datový list
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
IFEINFIPB70N10S3L12ATMA1
2156-IPB70N10S3L12ATMA1
448-IPB70N10S3L12ATMA1TR
SP000379631
IPB70N10S3L12ATMA1TR-DG
448-IPB70N10S3L12ATMA1DKR
IPB70N10S3L-12-DG
IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L12ATMA1TR
448-IPB70N10S3L12ATMA1CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP037N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB60R125C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
IPAN70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK