Číslo produktu výrobce:
IPD050N10N5ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD050N10N5ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
8938 Ks Nový Originál Skladem
12800337
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD050N10N5ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 84µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD050
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP001602184
448-IPD050N10N5ATMA1CT
IPD050N10N5ATMA1-DG
448-IPD050N10N5ATMA1TR
448-IPD050N10N5ATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
IPP120N06S4H1AKSA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IPB80N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3