Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPD50R800CEATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD50R800CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
Poptejte online
12799696
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD50R800CEATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
13V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 130µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
60W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD50R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IPD50R800CE
Technické listy
IPD50R800CEATMA1
HTML Datový list
IPD50R800CEATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
IPD50R800CEATMA1-DG
SP001117710
IPD50R800CEATMA1TR
IPD50R800CEATMA1CT
IPD50R800CEATMA1DKR
ROCINFIPD50R800CEATMA1
2156-IPD50R800CEATMA1-ITTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD8NM50N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1231
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD8NM50N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.88
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IPD50R800CEAUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5199
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD50R800CEAUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP