Číslo produktu výrobce:
IPD80R2K8CEATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD80R2K8CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
4870 Ks Nový Originál Skladem
12803536
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD80R2K8CEATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 120µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
42W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD80R2
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
INFINFIPD80R2K8CEATMA1
SP001130970
IPD80R2K8CEATMA1-DG
2156-IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1CT
IPD80R2K8CEATMA1DKR
IPD80R2K8CEATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP041N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
