Číslo produktu výrobce:
IPD90N08S405ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD90N08S405ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventář:
7009 Ks Nový Originál Skladem
12804591
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD90N08S405ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
144W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-313
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD90
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
448-IPD90N08S405ATMA1TR
448-IPD90N08S405ATMA1CT
SP000984282
448-IPD90N08S405ATMA1DKR
IPD90N08S405ATMA1-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFH3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
IPB05N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPC100N04S5L1R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
