Číslo produktu výrobce:
IPU60R2K1CEBKMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPU60R2K1CEBKMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventář:
12804561
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPU60R2K1CEBKMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 60µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
22W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO251-3
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
IPU60R
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
INFINFIPU60R2K1CEBKMA1
2156-IPU60R2K1CEBKMA1-IT
SP001276064
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPU60R2K1CEAKMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPU60R2K1CEAKMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IPP80N06S405AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPAW60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
