Číslo produktu výrobce:
IPW65R080CFDAFKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventář:
493 Ks Nový Originál Skladem
12801391
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
RY0T
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPW65R080CFDAFKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.76mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4440 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
391W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IPW65R080
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
SP000875806
2156-IPW65R080CFDAFKSA1
INFINFIPW65R080CFDAFKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPP037N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB60R125C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
