Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRFS3307ZTRRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFS3307ZTRRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
768 Ks Nový Originál Skladem
12804864
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFS3307ZTRRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
230W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRFS3307
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IRF(B/S/SL)3307ZPbF
Technické listy
IRFS3307ZTRRPBF
HTML Datový list
IRFS3307ZTRRPBF-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
448-IRFS3307ZTRRPBFTR
448-IRFS3307ZTRRPBFDKR
IRFS3307ZTRRPBF-DG
SP001568048
448-IRFS3307ZTRRPBFCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFS3307ZTRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
22960
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFS3307ZTRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.35
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
STB140NF75T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1648
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB140NF75T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.68
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXTA120N075T2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA120N075T2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.55
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FDB060AN08A0
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1060
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDB060AN08A0-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.58
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFU3607PBF
MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
IPS040N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
IRF3805LPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
IRFI9Z24N
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP