Číslo produktu výrobce:
IRFS4229TRLPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFS4229TRLPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventář:
2694 Ks Nový Originál Skladem
12818509
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFS4229TRLPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
45A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
48mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4560 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
330W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRFS4229
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
IRFS4229TRLPBFDKR
IRFS4229TRLPBFTR
SP001557392
IRFS4229TRLPBF-DG
IRFS4229TRLPBFCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFS3207ZTRRPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IRL3705ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
IRF7524D1TR
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
