Číslo produktu výrobce:
ISZ0804NLSATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
ISZ0804NLSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26
Inventář:
7025 Ks Nový Originál Skladem
12965941
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ISZ0804NLSATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™ 5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 28µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TSDSON-8-26
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
ISZ0804N
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-ISZ0804NLSATMA1DKR
SP005430388
448-ISZ0804NLSATMA1CT
448-ISZ0804NLSATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
ISC0806NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
ISC0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
