Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SPD06N60C3ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPD06N60C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
Poptejte online
12806901
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPD06N60C3ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 260µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
74W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SPD06N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
SPD06N60C3
Technické listy
SPD06N60C3ATMA1
HTML Datový list
SPD06N60C3ATMA1-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
INFINFSPD06N60C3ATMA1
SP001117770
2156-SPD06N60C3ATMA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPD60R600P7SAUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9704
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPD60R600P7SAUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.25
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STD10N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6542
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD10N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.53
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
FCD850N80Z
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
15910
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCD850N80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.96
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRL540NLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
IRF7466
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRLMS5703TRPBF
MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
SPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3