Číslo produktu výrobce:
SPW17N80C3FKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPW17N80C3FKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventář:
452 Ks Nový Originál Skladem
12806899
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPW17N80C3FKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-1
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SPW17N80
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
SPW17N80C3XK
2156-SPW17N80C3FKSA1
SP000013369
SPW17N80C3IN
SPW17N80C3X
ROCINFSPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3XTIN-DG
SPW17N80C3IN-DG
SPW17N80C3IN-NDR
SPW17N80C3XTIN
SPW17N80C3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPD06N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
IRL540NLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
IRF7466
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
