Číslo produktu výrobce:
IXFN24N100
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFN24N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventář:
12820301
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFN24N100 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
390mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
267 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8700 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
568W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227B
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
IXFN24
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10
Další jména
IXFN24N100-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFN32N100P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFN32N100P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
26.21
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
APT22F100J
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT22F100J-DG
CENY ZA JEDNOTKU
34.58
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFK38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
IXTA5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
IXTH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
