Číslo produktu výrobce:
IXFT58N20Q
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFT58N20Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventář:
12821195
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFT58N20Q Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
40mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-268AA
Balení / pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základní číslo výrobku
IXFT58
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
IXFT58N20Q-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTT82N25P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTT82N25P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.71
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTN5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXTH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
