Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IXFV26N60P
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFV26N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventář:
Poptejte online
12821384
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFV26N60P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
PolarHV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
270mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
460W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PLUS220
Balení / pouzdro
TO-220-3, Short Tab
Základní číslo výrobku
IXFV26
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IXF(H,T,V)26N60P/PS
Technické listy
IXFV26N60P
HTML Datový list
IXFV26N60P-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP18N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
470
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP18N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.87
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP22NM60N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
945
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP22NM60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.64
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP60R280C6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
83
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R280C6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.10
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCP260N60E
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
200
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP260N60E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.65
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPP15N60C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
451
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPP15N60C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.73
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTV36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
IXTA32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO263
IXTT50P085
MOSFET P-CH 85V 50A TO268
IXFH50N60P3
MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD