Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IXTP18N60PM
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTP18N60PM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventář:
Poptejte online
12910805
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTP18N60PM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
Polar
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
420mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
90W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220 Isolated Tab
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základní číslo výrobku
IXTP18
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IXTP18N60PM
Technické listy
IXTP18N60PM
HTML Datový list
IXTP18N60PM-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP11N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
896
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP11N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.68
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP13NK60Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
770
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NK60Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
971
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP14N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP14N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.69
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
87
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.64
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR9310TR
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
IRF740ASPBF
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
IRFL9110TR
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
IRFR210
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK