Číslo produktu výrobce:
IXTT30N50P
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTT30N50P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventář:
12913369
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTT30N50P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
460W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-268AA
Balení / pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základní číslo výrobku
IXTT30
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI4431CDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
SI4833ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
SI4154DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
