Číslo produktu výrobce:
APT34M120J
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT34M120J-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventář:
13258167
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT34M120J Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
300mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
560 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
960W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
APT34M120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
10
Další jména
APT34M120JMI-ND
APT34M120JMI
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFN30N120P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFN30N120P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
46.25
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
APT12F60K
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
APTM20SKM05G
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
APT42F50B
MOSFET N-CH 500V 42A TO247