Číslo produktu výrobce:
APT9F100B
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT9F100B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventář:
13258229
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT9F100B Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2606 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
337W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 [B]
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
APT9F100
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW9NK90Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
411
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW9NK90Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.00
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
JANSR2N7261U
MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC
APT6013JLL
MOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP
APT9M100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247