Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
PMGD290XN,115
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PMGD290XN,115-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventář:
57783 Ks Nový Originál Skladem
12829455
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PMGD290XN,115 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
860mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.72nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
34pF @ 20V
Výkon - Max
410mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
6-TSSOP
Základní číslo výrobku
PMGD290
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
PMGD290XN
Technické listy
PMGD290XN,115
HTML Datový list
PMGD290XN,115-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
568-2366-1-DG
568-2366-1
568-2366-2
5202-PMGD290XN,115TR
1727-3126-6
934057731115
1727-3126-2
PMGD290XN115
568-2366-2-DG
PMGD290XN T/R
1727-3126-1
568-2366-6-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTJD4401NT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
28537
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTJD4401NT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSD235NH6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
82078
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSD235NH6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NVJD4401NT1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
50299
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVJD4401NT1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.16
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDG6317NZ
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3996
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDG6317NZ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.07
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSD840NH6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
54248
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSD840NH6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.06
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK9K25-40EX
MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
PMDPB56XNEAX
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
BUK7K32-100EX
MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
BUK7K6R2-40EX
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D