Číslo produktu výrobce:
2SK4210
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2SK4210-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventář:
12836327
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SK4210 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PB
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
2SK4210
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
100
Další jména
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK9J90E,S1E
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK9J90E,S1E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.07
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
