Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCMT199N60
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCMT199N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
Inventář:
18529 Ks Nový Originál Skladem
12838531
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCMT199N60 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Power88
Balení / pouzdro
4-PowerTSFN
Základní číslo výrobku
FCMT199
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCMT199N60
Technické listy
FCMT199N60
HTML Datový list
FCMT199N60-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
ONSONSFCMT199N60
FCMT199N60CT
FCMT199N60TR
2156-FCMT199N60-OS
FCMT199N60DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPL60R185P7AUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5980
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPL60R185P7AUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.15
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPL60R185C7AUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2932
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPL60R185C7AUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPL60R180P6AUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPL60R180P6AUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.52
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPL65R195C7AUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2977
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPL65R195C7AUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.33
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPL60R185CFD7AUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2973
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPL60R185CFD7AUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.29
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDZ663P
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
HUF75343G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
FQP30N06
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
FQB12P10TM
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK