Číslo produktu výrobce:
FCMT299N60
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCMT299N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount Power88
Inventář:
2390 Ks Nový Originál Skladem
12851108
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCMT299N60 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1948 pF @ 380 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Power88
Balení / pouzdro
4-PowerTSFN
Základní číslo výrobku
FCMT299
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
1990-FCMT299N60TR
FCMT299N60DKR
FCMT299N60TR
2156-FCMT299N60
FCMT299N60CT
1990-FCMT299N60DKR
1990-FCMT299N60CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPL60R299CPAUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPL60R299CPAUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCMT299N60
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2390
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCMT299N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.85
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR220BTM_FP001
MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
R6524KNJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
FCPF7N60NT
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220F
