Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP11N60F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP11N60F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
996 Ks Nový Originál Skladem
12851177
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP11N60F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP11
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP11N60F
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FCP11N60F-DG
FCP11N60FFS
1990-FCP11N60F
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SIHP15N60E-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
16573
DiGi ČÍSLO DÍLU
SIHP15N60E-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP12N65X2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP12N65X2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPP07N60C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPP07N60C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP15N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
988
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP15N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.09
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
87
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.64
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
HUFA76609D3ST_F085
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
FDP8870-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
FCI7N60
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC