Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP165N60E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP165N60E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
1200 Ks Nový Originál Skladem
13209968
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP165N60E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
SuperFET® II
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2434 pF @ 380 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
227W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FCP165
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP165N60E
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
488-FCP165N60E
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP24N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
189
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP24N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AOT25S65L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT25S65L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.99
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP28N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1020
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP28N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.40
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK17E65W,S1X
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK17E65W,S1X-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCH165N60E
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
473
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH165N60E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.86
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
NVB5404NT4G
MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
NVTFS5826NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NVMFS5830NLT1G
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
NTMFS4934NT3G
MOSFET N-CH 30V 147A SO8FL