Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
TK17E65W,S1X
Product Overview
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dílu:
TK17E65W,S1X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventář:
12 Ks Nový Originál Skladem
12889729
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
g
w
E
3
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TK17E65W,S1X Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balení
Tube
Řada
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
200mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 900µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 300 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
165W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
TK17E65
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
TK17E65W
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCP165N60E
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1200
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP165N60E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.91
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPP60R180C7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
572
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPP60R180C7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP21N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2997
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP21N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.32
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP28N60DM2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
220
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP28N60DM2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.63
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP28N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
932
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP28N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.44
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
TK50E06K3A,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
TK12A60U(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
TK28A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
2SK2962,F(J
MOSFET N-CH TO92MOD