Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FCP16N60N-F102
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FCP16N60N-F102-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventář:
Poptejte online
12839290
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
E
e
v
0
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FCP16N60N-F102 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
199mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2170 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
134.4W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FCP16
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FCP16N60N(T)
Technické listy
FCP16N60N-F102
HTML Datový list
FCP16N60N-F102-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FCP16N60N_F102-DG
FCP16N60N_F102
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NTP185N60S5H
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
795
DiGi ČÍSLO DÍLU
NTP185N60S5H-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.40
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STFU28N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
215
DiGi ČÍSLO DÍLU
STFU28N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.41
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF20N65M5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
303
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF20N65M5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.35
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFP22N65X2M
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP22N65X2M-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.22
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPA60R190P6XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
188
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPA60R190P6XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.19
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQD1P50TF
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
FDB7030BL
MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
FDBL86210-F085
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF