Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDA20N50-F109
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDA20N50-F109-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
Poptejte online
12846489
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDA20N50-F109 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
UniFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
22A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
230mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
59.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3120 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
280W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FDA20N50
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDA20N50-F109
Technické listy
FDA20N50-F109
HTML Datový list
FDA20N50-F109-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
FDA20N50_F109
FDA20N50_F109-DG
ONSONSFDA20N50-F109
FDA20N50
2156-FDA20N50-F109-OS
FDA20N50-DG
2832-FDA20N50-F109
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTQ26N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ26N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.47
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTQ22N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
302
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ22N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.74
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTQ460P2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
73
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ460P2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.96
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOTF13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
HUFA76407D3ST
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
FDMS1D4N03S
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263