Číslo produktu výrobce:
FDB12N50TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDB12N50TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
1 Ks Nový Originál Skladem
12921893
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDB12N50TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
165W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FDB12N50
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFA12N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
298
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFA12N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.82
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTA12N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
24
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA12N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.71
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
