Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FDC658AP
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDC658AP-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventář:
915 Ks Nový Originál Skladem
12846222
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDC658AP Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 5 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SuperSOT™-6
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
FDC658
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FDC658AP
Technické listy
FDC658AP
HTML Datový list
FDC658AP-DG
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDC658APCT
FDC658APTR
2832-FDC658AP
2156-FDC658AP-OS
FDC658APDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
CPH6341-TL-W
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5008
DiGi ČÍSLO DÍLU
CPH6341-TL-W-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.19
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSL307SPH6327XTSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2450
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSL307SPH6327XTSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RRQ045P03TR
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
785
DiGi ČÍSLO DÍLU
RRQ045P03TR-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.30
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RRQ030P03TR
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2522
DiGi ČÍSLO DÍLU
RRQ030P03TR-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.21
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PMN50EPEX
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2970
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMN50EPEX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOT7S65L
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
FDC3535
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
FCH47N60-F133
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247