Číslo produktu výrobce:
FDG311N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDG311N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventář:
12839577
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDG311N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
750mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-88 (SC-70-6)
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základní číslo výrobku
FDG311
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDG311NTR
FDG311NCT
FDG311N-DG
2832-FDG311NTR
2166-FDG311N-488
FDG311NDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NDF11N50ZG
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
IRLR210ATM
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK