Číslo produktu výrobce:
FDG315N
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDG315N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventář:
12850111
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDG315N Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
750mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC-88 (SC-70-6)
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Základní číslo výrobku
FDG315
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
