Číslo produktu výrobce:
FDJ129P
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FDJ129P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Inventář:
12839515
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FDJ129P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC75-6 FLMP
Balení / pouzdro
SC-75-6 FLMP
Základní číslo výrobku
FDJ129
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
FDJ129PTR-NDR
FDJ129P_NLTR
FDJ129P_NLTR-DG
FDJ129PDKR
FDJ129P_NLCT-DG
FDJ129PCT
FDJ129P_NLCT
FDJ129PTR
FDJ129P_NL
FDJ129PCT-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDL100N50F
MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
HUFA75345S3S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDN308P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
