FDJ129P
Číslo produktu výrobce:

FDJ129P

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDJ129P-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP

Inventář:

12839515
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDJ129P Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
2.5V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SC75-6 FLMP
Balení / pouzdro
SC-75-6 FLMP
Základní číslo výrobku
FDJ129

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDJ129PTR-NDR
FDJ129P_NLTR
FDJ129P_NLTR-DG
FDJ129PDKR
FDJ129P_NLCT-DG
FDJ129PCT
FDJ129P_NLCT
FDJ129PTR
FDJ129P_NL
FDJ129PCT-NDR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDL100N50F

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3

onsemi

HUFA75345S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDN308P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

IRLS630A

MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3