FDMC7672S
Číslo produktu výrobce:

FDMC7672S

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FDMC7672S-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 14.8A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventář:

3690 Ks Nový Originál Skladem
12846910
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FDMC7672S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PowerTrench®, SyncFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14.8A (Ta), 18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6mOhm @ 14.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2520 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.3W (Ta), 36W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-MLP (3.3x3.3)
Balení / pouzdro
8-PowerWDFN
Základní číslo výrobku
FDMC7672

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
FDMC7672SDKR
FDMC7672STR
FDMC7672S-DG
FDMC7672SCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDFMA2P029Z-F106

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

onsemi

HUFA76419S3ST

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

FDS4470

MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC

onsemi

NDS9400A

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC