Číslo produktu výrobce:
NDS9400A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NDS9400A-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12846917
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
B77k
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NDS9400A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
130mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
NDS940
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NDS9400ADKR
NDS9400ACT
NDS9400ATR-NDR
NDS9400ACT-NDR
NDS9400ATR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
FDP8D5N10C
MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
